BYG10JHE3/TR — DIODE 1.5A 600V STD AVALANCH SMA
| ||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
| BYG10JHE3/TR3 | Vishay/General Semiconductor | DIODE 1.5A 600V STD AVALANCH SMA Напряжение DC реверсный: 600В · Прямое напряжение: 1.15V @ 1.5A · Ток выпрямленный: 1.5A · Обратный ток утечки: 1µA @ 600V · Тип диода: Avalanche · Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) · Обратное Время Восстановления: 4µs · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DO-214AC, SMA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| BYG10J-E3/TR3 | Vishay/General Semiconductor | DIODE 1.5A 600V STD AVALANCH SMA Напряжение DC реверсный: 600В · Прямое напряжение: 1.15V @ 1.5A · Ток выпрямленный: 1.5A · Обратный ток утечки: 1µA @ 600V · Тип диода: Avalanche · Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) · Обратное Время Восстановления: 4µs · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DO-214AC, SMA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
| BYG10J-E3/TR | Vishay/General Semiconductor | DIODE 1.5A 600V STD AVALANCH SMA Напряжение DC реверсный: 600В · Прямое напряжение: 1.15V @ 1.5A · Ток выпрямленный: 1.5A · Обратный ток утечки: 1µA @ 600V · Тип диода: Avalanche · Скорость: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) · Обратное Время Восстановления: 4µs · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DO-214AC, SMA | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца