Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

ZXMC6A09DN8TA — MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC

Производитель	Diodes/Zetex
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45 mOhm @ 8.2A, 10V
Напряжение (Vdss)	60V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	24.2nC @ 10V
Ток @ 25°C	3.9A, 3.7A
Емкость @ Vds	1407pF @ 40V
Полярность	N and P-Channel
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	1.25W
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.	ZXMC6A09DN8TATR