Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
TPCS8209(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
TPCS8209(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
TPCS8210(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A 2-3R1E Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 4A, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1280pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 600mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |