Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

 
TPCF8402(TE85L)

- Габаритный чертеж
- Габаритный чертеж

TPCF8402(TE85L) — MOSFET N+P 30V 3.2A VS-8

ПроизводительToshiba
Rds On (Max) @ Id, Vgs50 mOhm @ 2A, 10V
Напряжение (Vdss)30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs10nC @ 10V
Ток @ 25°C4A, 3.2A
Емкость @ Vds470pF @ 10V
ПолярностьN and P-Channel
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная530mW
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусVS-8 (2-3U1B)
Встречается под наим.TPCF8402TR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TPCF8402(TE85L,F)TPCF8402(TE85L,F)ToshibaMOSFET N/P-CH 30V 3.2A VS-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A, 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: VS-8 (2-3U1B)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
TPCF8402(TE85L,F,MToshibaMOSFET N/P-CH 30V 2-3U1B
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50 mOhm @ 2A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4A, 3.2A  ·  Емкость @ Vds: 470pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 530mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «TPCF8402(TE85L)» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте