Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)
 
SP8M5TB

- Дополнительное фото
- Габаритный чертеж

SP8M5TB — MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC

ПроизводительRohm Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 6A, 10V
Напряжение (Vdss)30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs7.2nC @ 5V
Ток @ 25°C6A, 7A
Емкость @ Vds520pF @ 10V
ПолярностьN and P-Channel
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная2Вт
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Корпус8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.SP8M5TBTR
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SP8M8TBSP8M8TBRohm SemiconductorMOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6A, 4.5A  ·  Емкость @ Vds: 520pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «SP8M5TB» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте