|
- Габаритный чертеж |
SI1902DL-T1-E3 — MOSFET N-CH DUAL 20V SC70-6
Производитель | Vishay/Siliconix |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Серия | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 660ma, 4.5V |
Напряжение (Vdss) | 20В |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
Ток @ 25°C | 660mA |
Полярность | 2 N-Channel (Dual) |
Особенности | Logic Level Gate |
Мощность макcимальная | 270mW |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Встречается под наим. | SI1902DL-T1-E3DKR |
|
|