|
- Габаритный чертеж |
SI1555DL-T1-E3 — MOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6
Производитель | Vishay/Siliconix |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Серия | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 385 mOhm @ 660ma, 4.5V |
Напряжение (Vdss) | 20V, 8V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.2nC @ 4.5V |
Ток @ 25°C | 660mA, 570mA |
Полярность | N and P-Channel |
Особенности | Logic Level Gate |
Мощность макcимальная | 270mW |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Встречается под наим. | SI1555DL-T1-E3DKR |
|
|