|
- Габаритный чертеж |
SI1035X-T1-E3 — MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F
Производитель | Vishay/Siliconix |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Серия | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 200mA, 4.5V |
Напряжение (Vdss) | 20В |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 0.75nC @ 4.5V |
Ток @ 25°C | 180mA, 145mA |
Полярность | N and P-Channel |
Особенности | Logic Level Gate |
Мощность макcимальная | 250mW |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Корпус | SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 |
Встречается под наим. | SI1035X-T1-E3TR |
|
|