Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

SI1029X-T1-E3 — MOSFET N/P-CH COMPL 60V SOT563F

Производитель	Vishay/Siliconix
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Напряжение (Vdss)	60V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.75nC @ 4.5V
Ток @ 25°C	305mA, 190mA
Емкость @ Vds	30pF @ 25V
Полярность	N and P-Channel
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	250mW
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
Встречается под наим.	SI1029X-T1-E3CT