Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)
 
SI1026X-T1-GE3

- Габаритный чертеж

SI1026X-T1-GE3 — MOSFET DL N-CH 60V 305MA SC89-6

ПроизводительVishay/Siliconix
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Rds On (Max) @ Id, Vgs1.4 Ohm @ 500mA, 10V
Напряжение (Vdss)60V
Gate Charge (Qg) @ Vgs0.6nC @ 4.5V
Ток @ 25°C305mA
Полярность2 N-Channel (Dual)
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная250mW
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-89-6, SOT-563F, SOT-666
Встречается под наим.SI1026X-T1-GE3TR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI1026X-T1-E3SI1026X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 60V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 305mA  ·  Емкость @ Vds: 30pF @ 25V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «SI1026X-T1-GE3» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте