Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

SI1025X-T1-E3 — MOSFET P-CH DUAL 60V SOT563F

Производитель	Vishay/Siliconix
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 500mA, 10V
Напряжение (Vdss)	60V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	1.7nC @ 15V
Ток @ 25°C	190mA
Емкость @ Vds	23pF @ 25V
Полярность	2 P-Channel (Dual)
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	250mW
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
Встречается под наим.	SI1025X-T1-E3CT