Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)
 
SI1016X-T1-E3

- Габаритный чертеж

SI1016X-T1-E3 — MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F

ПроизводительVishay/Siliconix
Вредные веществаRoHS   Без свинца
СерияTrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs700 mOhm @ 600mA, 4.5V
Напряжение (Vdss)20В
Gate Charge (Qg) @ Vgs0.75nC @ 4.5V
Ток @ 25°C485mA, 370mA
ПолярностьN and P-Channel
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная250mW
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSC-89-6, SOT-563F, SOT-666
Встречается под наим.SI1016X-T1-E3CT
Схожие по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI1016X-T1-GE3SI1016X-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20V SC89-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 485mA, 370mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
от 0,00		Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «SI1016X-T1-E3» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте