|
- Габаритный чертеж |
PMGD780SN,115 — MOSFET N-CH TRENCH DL 60V SOT363
Производитель | NXP Semiconductors |
Вредные вещества | RoHS Без свинца |
| Серия | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 920 mOhm @ 300mA, 10V |
Напряжение (Vdss) | 60V |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 1.05nC @ 10V |
Ток @ 25°C | 490mA |
Емкость @ Vds | 23pF @ 30V |
Полярность | 2 N-Channel (Dual) |
Особенности | Logic Level Gate |
Мощность макcимальная | 410mW |
Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Корпус | SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 |
Встречается под наим. | 568-2369-1 |
|
|