Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

NDS8961 — MOSFET N-CH DUAL 30V 3.1A 8-SOIC

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Обратите внимание	Mold Compound Change 12 дек 2007
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3.1A, 10V
Напряжение (Vdss)	30В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	10nC @ 10V
Ток @ 25°C	3.1A
Емкость @ Vds	190pF @ 15V
Полярность	2 N-Channel (Dual)
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	900мВт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	8-SOIC (3.9мм ширина)