Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

 
IRF7530TR

IRF7530TR — MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8

ПроизводительInternational Rectifier
СерияHEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs30 mOhm @ 5.4A, 4.5V
Напряжение (Vdss)20В
Gate Charge (Qg) @ Vgs26nC @ 4.5V
Ток @ 25°C5.4A
Емкость @ Vds1310pF @ 15V
Полярность2 N-Channel (Dual)
ОсобенностиСтандарт
Мощность макcимальная1.3W
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусMicro8™
Встречается под наим.IRF7530DKR
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IRF7530TRPBFIRF7530TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH DUAL 20V 5.4A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.4A  ·  Емкость @ Vds: 1310pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00
от 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
IRF7530PBFIRF7530PBFInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 5.4A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 26nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 5.4A  ·  Емкость @ Vds: 1310pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Micro8™
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «IRF7530TR» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте