 |
IRF7342QPBF — MOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC
| ||||||||||||||||||||||||||||
| Войти Регистрация |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | IRF7342TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7342PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7342TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| IRF7342 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках |
| Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
 | IRF7342QTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 55V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105 mOhm @ 3.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 38nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.4A · Емкость @ Vds: 690pF @ 25V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
| © 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |
RoHS 
Без свинца