Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRF7314PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IRF7314TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IRF7314TR | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 29nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 780pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |