Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRF7304TRPBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IRF7304 | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IRF7304PBF | International Rectifier | MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
IRF7304QPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
IRF7304QTRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH DUAL 20V 8-SOIC Серия: HEXFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.3A · Емкость @ Vds: 610pF @ 15V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SO-8 | от 0,00 от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |