Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

 

IRF5852TRPBF — MOSFET N-CH DUAL 20V 2.7A 6-TSOP

ПроизводительInternational Rectifier
Вредные веществаRoHS   Без свинца
СерияHEXFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs90 mOhm @ 2.7A, 4.5V
Напряжение (Vdss)20В
Gate Charge (Qg) @ Vgs6nC @ 4.5V
Ток @ 25°C2.7A
Емкость @ Vds400pF @ 15V
Полярность2 N-Channel (Dual)
ОсобенностиLogic Level Gate
Мощность макcимальная960mW
Тип монтажаПоверхностный монтаж
Корпус6-TSOP
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
IRF5852IRF5852International RectifierMOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках
IRF5852TRIRF5852TRInternational RectifierMOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP
Серия: HEXFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.7A  ·  Емкость @ Vds: 400pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 960mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «IRF5852TRPBF» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте