Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

DI9952T — MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC

Производитель	Diodes Inc
Напряжение (Vdss)	30В
Ток @ 25°C	2.9A
Полярность	N and P-Channel
Особенности	Стандарт
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	8-SOIC (3.9мм ширина)
Встречается под наим.	DI9952TR