Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

BSO615NV — MOSFET DUAL N-CH 60V 3.1A 8-SOIC

Производитель	Infineon Technologies
Серия	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	120 mOhm @ 3.1A, 10V
Напряжение (Vdss)	60V
Gate Charge (Qg) @ Vgs	12nC @ 10V
Ток @ 25°C	3.1A
Емкость @ Vds	340pF @ 25V
Полярность	2 N-Channel (Dual)
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SO-8
Встречается под наим.	BSO615NVINCT