Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

BSO215C — MOSFET N+P 20V 3.7A 8-SOIC

Производитель	Infineon Technologies
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	SIPMOS®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	100 mOhm @ 3.7A, 10V
Напряжение (Vdss)	20В
Gate Charge (Qg) @ Vgs	11.5nC @ 10V
Ток @ 25°C	3.7A
Емкость @ Vds	246pF @ 25V
Полярность	N and P-Channel
Особенности	Logic Level Gate
Мощность макcимальная	2Вт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SO-8
Встречается под наим.	BSO215CINTR