Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SI1034X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 180mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4567DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.1A, 3.6A · Емкость @ Vds: 355pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.85W, 1.95W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1033X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 145mA · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7923DN-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V · Ток @ 25°C: 4.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI6993DQ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.6A 8TSSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7224DN-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 570pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2.5W, 2.6W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1024X-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 485mA · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 250mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA911DJ-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 20V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 8V · Ток @ 25°C: 3.6A · Емкость @ Vds: 355pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7844DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.4A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4500BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 6.6A, 3.8A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4501ADY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6.3A, 4.1A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4963BDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.9A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI5904DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 3.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1206-8 ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SIA911EDJ-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 8V · Ток @ 25°C: 3.6A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.9Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4941EDY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V · Ток @ 25°C: 8.3A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SI4906DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.3A · Емкость @ Vds: 625pF @ 20V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7946DP-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 150V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.1A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI3911DV-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET P-CH DUAL 20V 1.8A 6TSOP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.8A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 830mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-TSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4618DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.7A, 11.4A · Емкость @ Vds: 1535pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 1.38W, 2.35W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI7842DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.4Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI8901EDB-T2-E1 | Vishay/Siliconix | MOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 1A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 3.5A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-MICRO FOOT®CSP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI5504DC-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2.9A, 2.1A · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 1206-8 ChipFET™ | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4973DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V · Ток @ 25°C: 5.8A · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.1W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI4569DY-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 40В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V · Ток @ 25°C: 6A, 6.1A · Емкость @ Vds: 855pF @ 20V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Стандарт · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SI1555DL-T1-E3 | Vishay/Siliconix | MOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6 Серия: TrenchFET® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20V, 8V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 660mA, 570mA · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 270mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |