Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
SI1034X-T1-E3SI1034X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH 20V 180MA SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 180mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4567DY-T1-E3SI4567DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 4.1A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.1A, 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 355pF @ 20V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.85W, 1.95W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1033X-T1-E3SI1033X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH 20V 145MA SOT563F
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 145mA  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7923DN-T1-E3SI7923DN-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL P-CH 30V 1212-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47 mOhm @ 6.4A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI6993DQ-T1-E3SI6993DQ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 30V 3.6A 8TSSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31 mOhm @ 4.7A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-TSSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7224DN-T1-GE3SI7224DN-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 6.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6A  ·  Емкость @ Vds: 570pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2.5W, 2.6W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® 1212-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1024X-T1-E3SI1024X-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 485mA  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 250mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-89-6, SOT-563F, SOT-666
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIA911DJ-T1-E3SIA911DJ-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL P-CH 20V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94 mOhm @ 2.8A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 12.8nC @ 8V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Емкость @ Vds: 355pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7844DP-T1-E3SI7844DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 10A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.4A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4500BDY-T1-E3SI4500BDY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH HALF BRG 20V 8SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 9.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 17nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 6.6A, 3.8A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4501ADY-T1-E3SI4501ADY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH HALF BRG 8SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 8.8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30V, 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 5V  ·  Ток @ 25°C: 6.3A, 4.1A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4963BDY-T1-E3SI4963BDY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 4.9A 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32 mOhm @ 6.5A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 4.9A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5904DC-T1-E3SI5904DC-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 1206-8 ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SIA911EDJ-T1-GE3SIA911EDJ-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 8V  ·  Ток @ 25°C: 3.6A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.9Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SC-70-6 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4941EDY-T1-E3SI4941EDY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 30V 10A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21 mOhm @ 8.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 70nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 8.3A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4906DY-T1-E3SI4906DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 40V 6.6A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39 mOhm @ 5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 22nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.3A  ·  Емкость @ Vds: 625pF @ 20V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7946DP-T1-E3SI7946DP-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150 mOhm @ 3.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 150V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.1A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI3911DV-T1-E3SI3911DV-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET P-CH DUAL 20V 1.8A 6TSOP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145 mOhm @ 2.2A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 1.8A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 830mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-TSOP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4618DY-T1-E3SI4618DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 8A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 44nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.7A, 11.4A  ·  Емкость @ Vds: 1535pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 1.38W, 2.35W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI7842DP-T1-GE3SI7842DP-T1-GE3Vishay/SiliconixMOSFET DL N-CH 30V PPAK 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 7.5A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 20nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.3A  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.4Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: PowerPAK® SO-8 Dual
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI8901EDB-T2-E1SI8901EDB-T2-E1Vishay/SiliconixMOSFET BIDIR N-CH 20V 2X3 6-MFP
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60 mOhm @ 1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Ток @ 25°C: 3.5A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MICRO FOOT®CSP
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI5504DC-T1-E3SI5504DC-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85 mOhm @ 2.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.5nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A, 2.1A  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 1206-8 ChipFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4973DY-T1-E3SI4973DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET DUAL P-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23 mOhm @ 7.6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 56nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 5.8A  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.1W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI4569DY-T1-E3SI4569DY-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 40V 8-SOIC
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 6A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 32nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6A, 6.1A  ·  Емкость @ Vds: 855pF @ 20V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Стандарт  ·  Мощность макcимальная: 2Вт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
SI1555DL-T1-E3SI1555DL-T1-E3Vishay/SiliconixMOSFET N/P-CH 20/8V SC70-6
Серия: TrenchFET®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385 mOhm @ 660ma, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20V, 8V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 660mA, 570mA  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 270mW  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  1 ... 5253545556575859  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте