Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
SP8J1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 16nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 1400pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8J2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56 mOhm @ 4.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 850pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8J3TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 3.5, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 490pf @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8J4TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235 mOhm @ 2A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 2A · Емкость @ Vds: 190pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8J5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 2600pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K1TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K2TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10.1nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K3TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.8nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K4TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 9A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A · Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8K5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 83 mOhm @ 3.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 3.5A · Емкость @ Vds: 140pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8M10TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 7A/4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25 mOhm @ 7A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8.4nC @ 5V · Ток @ 25°C: 7A, 4.5A · Емкость @ Vds: 600pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8M3TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A, 4.5A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8M4TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A, 7A · Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8M5TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 6A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A, 7A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8M6TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 3.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A, 3.5A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8M7TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.5nC @ 5V · Ток @ 25°C: 5A, 7A · Емкость @ Vds: 230pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8M8TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 6A/4.5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7.2nC @ 5V · Ток @ 25°C: 6A, 4.5A · Емкость @ Vds: 520pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SP8M9TB | Rohm Semiconductor | MOSFET N+P 30V 9A/5A 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 21nC @ 5V · Ток @ 25°C: 9A, 5A · Емкость @ Vds: 1190pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSD2007ASTF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSD2007ATF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V · Ток @ 25°C: 2A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
SSD2009ATF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 50V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130 mOhm @ 3A, 10V · Напряжение (Vdss): 50V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 25nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SSD2025TF | Fairchild Semiconductor | MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8-SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100 mOhm @ 3.3A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 30nC @ 10V · Ток @ 25°C: 3.3A · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 2Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина) | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
SSM6N7002FU(TE85LF) | Toshiba | MOSFET N-CHANNEL 60V S-MINI Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 17pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 300mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STC5DNF30V | STMicroelectronics | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35 mOhm @ 2.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 4.5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.3W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
STC5NF20V | STMicroelectronics | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP Серия: STripFET™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 460pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.5Вт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 8-TSSOP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |