Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы (сборки)

Производитель





















Серия
















Rds On (Max) @ Id, Vgs


















































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































































Напряжение (Vdss)










































Gate Charge (Qg) @ Vgs

















































































































































































































































































































































































































Ток @ 25°C































































































































































































































































































































































































































Емкость @ Vds






















































































































































































































































































































































































































































































































































Полярность









Особенности

Мощность макcимальная































































































































Тип монтажа


Корпус










































































































 
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
GWM160-0055X1-SMDIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 150A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM120-0075P3-SMDIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 118A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM120-0075P3-SMD SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 118A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM120-0075X1-SMD SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 110A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM100-01X1-SL SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A. 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM100-0085X1-SMDIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Напряжение (Vdss): 85V  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM160-0055X1-SMD SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 150A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM100-01X1-SMDIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS SMD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A. 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: Поверхностный монтаж
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM120-0075X1-SLIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 110A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM160-0055X1-SL SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 150A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM120-0075P3-SLIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 118A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM100-01X1-SLIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5 mOhm @ 80A. 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 90A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM120-0075X1-SL SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9 mOhm @ 60A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 115nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 110A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM220-004P3-SL SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 180A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM120-0075P3-SL SAMIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5 mOhm @ 60A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 75V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 100nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 118A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM160-0055X1-SLIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 100A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 105nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 150A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM220-004P3-SLIXYSIC FULL BRIDGE 3PH ISOPLUS STRT
Напряжение (Vdss): 40В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 94nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 180A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: Through Hole
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM160-0055P3IXYSIC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 55V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 90nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 160A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
GWM70-01P2IXYSIC FULL BRIDGE 3PH W/MOSF ISODIL
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14 mOhm @ 35A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 100V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 110nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 70A  ·  Полярность: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)  ·  Особенности: Стандарт  ·  Тип монтажа: Through Hole
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDD3510HFDD3510HFairchild SemiconductorIC MOSFET DUAL N/P 80V DPAK-4
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 4.3A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 80V  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 18nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 4.3A, 2.8A  ·  Емкость @ Vds: 800pF @ 40V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 1.3W  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: DPak, TO-252 (4 leads + tab)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1032CZFDMA1032CZFairchild SemiconductorIC MOSFET N/P-CHAN MICROFET 2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A, 3.1A  ·  Емкость @ Vds: 340pF @ 10V  ·  Полярность: N and P-Channel  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1028NZFDMA1028NZFairchild SemiconductorIC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 6nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.7A  ·  Емкость @ Vds: 340pF @ 10V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA2002NZFDMA2002NZFairchild SemiconductorIC MOSFET N-CH DUAL MICROFET 2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 3nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 2.9A  ·  Емкость @ Vds: 220pF @ 15V  ·  Полярность: 2 N-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 650мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDS4935BZFDS4935BZFairchild SemiconductorIC MOSFET P-CH DUAL 30V 8-SOIC
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22 mOhm @ 6.9A, 10V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 40nC @ 10V  ·  Ток @ 25°C: 6.9A  ·  Емкость @ Vds: 1360pF @ 15V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 900мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 8-SOIC (3.9мм ширина)
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
FDMA1029PZFDMA1029PZFairchild SemiconductorIC MOSFET P-CH DUAL MICROFET 2X2
Серия: PowerTrench®  ·  Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95 mOhm @ 3.1A, 4.5V  ·  Напряжение (Vdss): 20В  ·  Gate Charge (Qg) @ Vgs: 10nC @ 4.5V  ·  Ток @ 25°C: 3.1A  ·  Емкость @ Vds: 540pF @ 10V  ·  Полярность: 2 P-Channel (Dual)  ·  Особенности: Logic Level Gate  ·  Мощность макcимальная: 700мВт  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: 6-MLP, 6-MicroFET™
от 0,00
до 0,00
Доп. информация
Искать в поставщиках
Купить в магазине
← Ctrl  12345678 ... 59  Ctrl →

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте