Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
EM6K6T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET COMPLEX SS 20V 0.3A EMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1 Ohm @ 300mA, 4V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 300mA · Емкость @ Vds: 25pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EM6K7T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET 2N-CH 20V 200MA EMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 2.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Ток @ 25°C: 200mA · Емкость @ Vds: 25pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
EM6M1T2R | Rohm Semiconductor | MOSFET N/P-CH 30V .1A EMT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V · Напряжение (Vdss): 30V, 20V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 100mA, 200mA · Емкость @ Vds: 13pF @ 5V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 150mW · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: EMT6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FD6M016N03 | Fairchild Semiconductor | MODULE PWR SPM 30V 80A EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 295nC @ 10V · Ток @ 25°C: 80A · Емкость @ Vds: 11535pF @ 15V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: EPM15 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FD6M033N06 | Fairchild Semiconductor | IC RECT MOD 60V/73A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 129nC @ 10V · Ток @ 25°C: 73A · Емкость @ Vds: 6010pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: EPM15 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FD6M043N08 | Fairchild Semiconductor | IC RECT MOD 75V/65A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 75V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 148nC @ 10V · Ток @ 25°C: 65A · Емкость @ Vds: 6180pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: EPM15 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FD6M045N06 | Fairchild Semiconductor | IC RECT MOD 60V/60A SYNC EPM15 Серия: Power-SPM™ · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5 mOhm @ 40A, 10V · Напряжение (Vdss): 60V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 87nC @ 10V · Ток @ 25°C: 60A · Емкость @ Vds: 3890pF @ 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: EPM15 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC3601N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 100V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500 mOhm @ 1A, 10V · Напряжение (Vdss): 100V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 10V · Ток @ 25°C: 1A · Емкость @ Vds: 153pF @ 50V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6000NZ | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 6.5A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.3A · Емкость @ Vds: 840pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6000NZ_F077 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.3A 6-SSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20 mOhm @ 6.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 11nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 7.3A · Емкость @ Vds: 840pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6020C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A, 4.2A · Емкость @ Vds: 677pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6020C_F077 | Fairchild Semiconductor | MOSFET N P-CH 20V 6-SSOP Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5.9A, 4.2A · Емкость @ Vds: 677pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 1.2W · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6036P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V 5A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 992pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
FDC6036P_F077 | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V 5A 6SSOT Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44 mOhm @ 5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 14nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 5A · Емкость @ Vds: 992pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 900мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT FLMP, SuperSOT-6 FLMP | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6301N | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6302P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10 Ohm @ 200mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.31nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 120mA · Емкость @ Vds: 11pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6303N | Fairchild Semiconductor | IC FET DGTL N-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 680mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6304P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 460mA · Емкость @ Vds: 62pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6305N | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80 mOhm @ 2.7A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.7A · Емкость @ Vds: 310pF @ 10V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6306P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CHAN DUAL 20V SSOT6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 1.9A · Емкость @ Vds: 441pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6310P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125 mOhm @ 2.2A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 5.2nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.2A · Емкость @ Vds: 337pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6312P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 20V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115 mOhm @ 2.3A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 20В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 7nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.3A · Емкость @ Vds: 467pF @ 10V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6318P | Fairchild Semiconductor | MOSFET P-CH DUAL 12V SSOT-6 Серия: PowerTrench® · Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V · Напряжение (Vdss): 12В · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 8nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 2.5A · Емкость @ Vds: 455pF @ 6V · Полярность: 2 P-Channel (Dual) · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6320C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V · Ток @ 25°C: 220mA, 120mA · Емкость @ Vds: 9.5pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
FDC6321C | Fairchild Semiconductor | MOSFET N/P-CH DUAL 25V SSOT-6 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V · Напряжение (Vdss): 25V · Gate Charge (Qg) @ Vgs: 2.3nC @ 5V · Ток @ 25°C: 680mA, 460mA · Емкость @ Vds: 50pF @ 10V · Полярность: N and P-Channel · Особенности: Logic Level Gate · Мощность макcимальная: 700мВт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: 6-SSOT, SuperSOT-6 | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |