Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

PMBFJ310,215 — JFET N-CHAN 25V SOT-23

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	24mA @ 10V
Напряжение (Vdss)	25V
Полярность	N-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)	25V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	2V @ 1µA
Емкость @ Vds	5pF @ 10V
Сопротивление - RDS (On)	50 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Мощность макcимальная	250mW
Встречается под наим.	568-2083-1