Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
  

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом
 
PMBFJ308,215

PMBFJ308,215 — MOSFET N-CH 25V 50MA SOT23

ПроизводительNXP Semiconductors
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)12mA @ 10V
Напряжение (Vdss)25V
ПолярностьN-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)25V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id1V @ 1µA
Емкость @ Vds5pF @ 10V
Сопротивление - RDS (On)50 Ohm
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусSOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Мощность макcимальная250mW
Встречается под наим.PMBFJ308 T/R, PMBFJ308 T/R-ND
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
PMBFJ309,215PMBFJ309,215NXP SemiconductorsMOSFET N-CH 25V 30MA SOT23
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 12mA @ 10V  ·  Напряжение (Vdss): 25V  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 1µA  ·  Емкость @ Vds: 5pF @ 10V  ·  Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3  ·  Мощность макcимальная: 250mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «PMBFJ308,215» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  

© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи		 Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов Регистрация • Реклама на сайте