| |
- Габаритный чертеж |
PMBFJ110,215 — JFET N-CHAN 25V SOT-23
| Производитель | NXP Semiconductors |
| Вредные вещества |  RoHS  Без свинца |
 | | Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 10mA @ 15V |
| Напряжение (Vdss) | 25V |
| Полярность | N-Channel |
| Напряжение пробоя (V(BR)GSS) | 25V |
| Напряжение отсечки (VGS off) @ Id | 4V @ 1µA |
| Емкость @ Vds | 30pF @ 10V (VGS) |
| Сопротивление - RDS (On) | 18 Ohm |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Корпус | SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 |
| Мощность макcимальная | 250mW |
| Встречается под наим. | 568-2080-2, PMBFJ110 T/R |
|
|
