Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

 
MPF4393G

- Дополнительное фото

MPF4393G — AMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеСнят с производства - 02 янв 2007
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)5mA @ 15V
Напряжение (Vdss)30В
ПолярностьN-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)30В
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id500mV @ 10nA
Емкость @ Vds10pF @ 15V (VGS)
Сопротивление - RDS (On)100 Ohm
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Standard Body), TO-226
Мощность макcимальная350mW
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
MPF4393MPF4393ON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
MPF4393RLRPGMPF4393RLRPGON SemiconductorAMP JFET SW N-CHAN 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 5mA @ 15V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В  ·  Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 15V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 100 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 350mW
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «MPF4393G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте