Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель	ON Semiconductor

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	1.5mA @ 15V
Полярность	P-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)	30В
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	800mV @ 10nA
Емкость @ Vds	11pF @ 10V (VGS)
Сопротивление - RDS (On)	300 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Мощность макcимальная	225mW
Встречается под наим.	MMBFJ177LT1OSCT

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MMBFJ177LT1G	ON Semiconductor	JFET SS P-CHAN 25V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 11pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов