Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель	ON Semiconductor
Обратите внимание	LTB Notification 08 янв 2008

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	1mA @ 15V
Полярность	P-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)	40В
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	750mV @ 1µA
Емкость @ Vds	7pF @ 15V
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Мощность макcимальная	225mW
Встречается под наим.	MMBF5460LT1OSCT

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	MMBF5460LT1G	ON Semiconductor	TRANS JFET SW P-CHAN 40V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов