Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель	ON Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца
Обратите внимание	Снят с производства - 21 июн 2007

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	20mA @ 15V
Полярность	N-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)	35V
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	3V @ 1µA
Сопротивление - RDS (On)	30 Ohm
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-92-3 (Standard Body), TO-226
Мощность макcимальная	350mW

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	J111RLRPG	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Доп. информация Искать в поставщиках
	J111RL1G	ON Semiconductor	TRANS GP JFET N-CH 35V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов