Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	150µA @ 5V
Ток нагрузки (макс)	1mA
Полярность	N-Channel
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	600mV @ 1µA
Емкость @ Vds	3.5pF @ 5V
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-623F
Мощность макcимальная	100mW

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	FJZ594JCTF	Fairchild Semiconductor	JFET N-CH SI 20V 100MW SOT623F Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-623F · Мощность макcимальная: 100mW		Доп. информация Искать в поставщиках
	FJZ594JTF	Fairchild Semiconductor	IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT623F Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-623F · Мощность макcимальная: 100mW		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов