Дискретные полупроводники · MOSFET транзисторы с p-n-переходом

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	150µA @ 5V
Ток нагрузки (макс)	1mA
Полярность	N-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)	20В
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	600mV @ 1µA
Емкость @ Vds	3.5pF @ 5V
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SC-70-3, SOT-323-3
Мощность макcимальная	100mW

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	FJX597JHTF	Fairchild Semiconductor	IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 150µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Мощность макcимальная: 100mW	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	FJX597JCTF	Fairchild Semiconductor	IC FET N-CH SI 20V 100MW SOT-323 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 210µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 20В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-3, SOT-323-3 · Мощность макcимальная: 100mW	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов