Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

BSR58LT1G — TRANS JFET N-CHAN 40V SOT-23

Производитель	ON Semiconductor
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Обратите внимание	Снят с производства - 01 окт 2008
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	8mA @ 15V
Полярность	N-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)	40В
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	800mV @ 1µA
Сопротивление - RDS (On)	60 Ohm
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Мощность макcимальная	350mW