Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

BFT46,215 — FET N-CHAN 25V SOT-23

Производитель	NXP Semiconductors
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)	200µA @ 10V
Напряжение (Vdss)	25V
Ток нагрузки (макс)	10mA
Полярность	N-Channel
Напряжение отсечки (VGS off) @ Id	1.2V @ 0.5nA
Емкость @ Vds	5pF @ 10V
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3
Мощность макcимальная	250mW
Встречается под наим.	BFT46 T/R, BFT46 T/R-ND