Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  MOSFET транзисторы с p-n-переходом

 
2N5639G

- Дополнительное фото

2N5639G — TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Обратите вниманиеСнят с производства - 21 июн 2007
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0)25mA @ 20V
Напряжение (Vdss)30В
ПолярностьN-Channel
Напряжение пробоя (V(BR)GSS)35V
Емкость @ Vds10pF @ 12V (VGS)
Сопротивление - RDS (On)60 Ohm
Тип монтажаThrough Hole
КорпусTO-92-3 (Standard Body), TO-226
Мощность макcимальная310mW
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
2N56392N5639ON SemiconductorTRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 310mW
Доп. информация
Искать в поставщиках
2N5639RLRAG2N5639RLRAGON SemiconductorTRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92
Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V  ·  Напряжение (Vdss): 30В  ·  Полярность: N-Channel  ·  Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V  ·  Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)  ·  Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm  ·  Тип монтажа: Through Hole  ·  Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226  ·  Мощность макcимальная: 310mW
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «2N5639G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте