Войти Регистрация |
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
BSR57,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CH 40V 20MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 40 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR58,215 | NXP Semiconductors | MOSFET N-CH 40V 8MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
BSR56,215 | NXP Semiconductors | JFET N-CH 40V 50MA SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 40В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 0.5nA · Сопротивление - RDS (On): 25 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 250mW | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SJ01630RL | Panasonic - SSG | JFET P-CH 65V 10MA MINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V · Ток нагрузки (макс): 20mA · Полярность: P-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.5V @ 10µA · Емкость @ Vds: 12pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J177,126 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.5mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 800mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 300 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 400мВт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J176,126 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 250 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 400мВт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
J174,126 | NXP Semiconductors | JFET P-CHAN 30V SOT-54 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10nA · Емкость @ Vds: 8pF @ 10V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 85 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 400мВт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SK01980RL | Panasonic - SSG | JFET N-CH 30V 20MA MINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток нагрузки (макс): 20mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 10µA · Емкость @ Vds: 14pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: Mini 3P · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SK771-5-TB-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Co | MOSFET N-CH 40V 20MA CP | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
JFTJ105 | Fairchild Semiconductor | IC SWITCH N-CHAN 25V 10MA SOT223 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4.5V @ 1µA · Сопротивление - RDS (On): 3 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA · Мощность макcимальная: 1Вт | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
PMBFJ620,115 | NXP Semiconductors | JFET N-CHAN DUAL 25V SOT363 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 24mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: 2 N-Channel (Dual) · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 2V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Сопротивление - RDS (On): 50 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SC-70-6, SC-88, SOT-323-6, SOT-363 · Мощность макcимальная: 190mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2SK06620RL | Panasonic - SSG | JFET N-CH 30V 20MA SMINI-3 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 500µA @ 10V · Напряжение (Vdss): 30В · Ток нагрузки (макс): 20mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 100mV @ 10µA · Емкость @ Vds: 14pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: S-Mini 3P · Мощность макcимальная: 150mW | от 0,00 до 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | |
2N5638RLRAG | ON Semiconductor | TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2SK298800L | Panasonic - SSG | JFET LOW FREQ.IMPEDANCE CONVRT Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.4mA @ 10V · Ток нагрузки (макс): 10mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 3.5V @ 1µA · Емкость @ Vds: 5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 2P · Мощность макcимальная: 125mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5462G | ON Semiconductor | IC AMP JFET SS P-CH 40V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 4mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1.8V @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 350mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
KSK30OBU | Fairchild Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 10MA TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 300µA @ 10V · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 400mV @ 100nA · Емкость @ Vds: 8.2pF @ 0V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 100mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2SK25930PL | Panasonic - SSG | JFET LOW FREQ.AMP SWITHING Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 10V · Напряжение (Vdss): 55V · Ток нагрузки (макс): 30mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 5V @ 10µA · Емкость @ Vds: 6.5pF @ 10V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SS Mini 3P · Мощность макcимальная: 125mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBF4391LT1 | ON Semiconductor | JFET SS N-CHAN 30V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 30В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 4V @ 10nA · Емкость @ Vds: 14pF @ 15V · Сопротивление - RDS (On): 30 Ohm · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5458G | ON Semiconductor | IC JFET N-CH GP SS 25V TO92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 1V @ 10nA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBF5460LT1G | ON Semiconductor | TRANS JFET SW P-CHAN 40V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: P-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 40В · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 750mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5639 | ON Semiconductor | TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBF5484LT1G | ON Semiconductor | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 300mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 5pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
KSK596CBU | Fairchild Semiconductor | JFET N-CH 20V 10MA TO-92S Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100µA @ 5V · Ток нагрузки (макс): 1mA · Полярность: N-Channel · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 600mV @ 1µA · Емкость @ Vds: 3.5pF @ 5V · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Short Body) · Мощность макcимальная: 100mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
MMBF5457LT1G | ON Semiconductor | JFET SS N-CHAN 25V SOT23 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1mA @ 15V · Напряжение (Vdss): 25V · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 25V · Напряжение отсечки (VGS off) @ Id: 500mV @ 10nA · Емкость @ Vds: 7pF @ 15V · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3 · Мощность макcимальная: 225mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине | ||
2N5639RLRAG | ON Semiconductor | TRANSISTOR JFET N-CH 30V TO-92 Ток нагрузки (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V · Напряжение (Vdss): 30В · Полярность: N-Channel · Напряжение пробоя (V(BR)GSS): 35V · Емкость @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) · Сопротивление - RDS (On): 60 Ohm · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-92-3 (Standard Body), TO-226 · Мощность макcимальная: 310mW | Доп. информация Искать в поставщиках Купить в магазине |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |