Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 12A
Ток коллектора (макс)	30A
Мощность макcимальная	125Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220-3 (Straight Leads)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	STGP12NB60K	STMicroelectronics	MOSFET N-CHAN 18A 600V TO-220 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках
	STGP12NB60KD	STMicroelectronics	MOSFET N-CHAN 18A 600V TO-220 Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 12A · Ток коллектора (макс): 30A · Мощность макcимальная: 125Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Through Hole · Корпус: TO-220-3 (Straight Leads)	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов