Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

STGDL6NC60DT4 — IGBT N-CH 6A 600V DPAK

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.9V @ 15V, 3A
Ток коллектора (макс)	13A
Мощность макcимальная	50Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Встречается под наим.	497-7990-6