Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

STGD7NB60KT4 — IGBT N-CHAN 14A 600V DPAK

Производитель	STMicroelectronics
Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 7A
Ток коллектора (макс)	14A
Мощность макcимальная	70Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63
Встречается под наим.	497-4110-2