Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 7A
Ток коллектора (макс)	14A
Мощность макcимальная	80Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	STGB7NB60HDT4	STMicroelectronics	IGBT N-CHAN 14A 600V D2PAK Серия: PowerMESH™ · Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 80Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	от 0,00 от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов