Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

STGB3NB60KDT4 — MOSFET N-CHAN 6A 600V D2PAK

Производитель	STMicroelectronics
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	PowerMESH™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.8V @ 15V, 3A
Ток коллектора (макс)	10A
Мощность макcимальная	50Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)