Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца
Обратите внимание	Lead Dimension Change 23 янв 2007

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.6V @ 15V, 1.2A
Ток коллектора (макс)	2.4A
Мощность макcимальная	25Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	SGR2N60UFDTM	Fairchild Semiconductor	IGBT W/DIODE 600V 1.2A DPAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 1.2A · Ток коллектора (макс): 2.4A · Мощность макcимальная: 25Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов