Войти Регистрация |
|
Фото | Наименование | Производитель | Тех. параметры | Цены (руб.) | Купить |
NGB8204NT4 | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | Доп. информация Искать в поставщиках | ||
NGB8204NT4G | ON Semiconductor | IGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | от 0,00 | Доп. информация Искать в поставщиках | |
NGB18N40CLBT4 | ON Semiconductor | IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A · Ток коллектора (макс): 18A · Мощность макcимальная: 115W · Тип входа: Logic · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | Доп. информация Искать в поставщиках |
© 2006 — 2024 Капитал Плюс Телефон, e-mail, ICQ для связи |
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов | Регистрация • Реклама на сайте |