Войти    Регистрация
ChipFind каталог подбора компонентов
Например: transistor, max232, lt319a
 

Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

 

NGB18N40CLBT4G — IGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK

ПроизводительON Semiconductor
Вредные веществаRoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)430V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 4.5V, 10A
Ток коллектора (макс)18A
Мощность макcимальная115W
Тип входаLogic
Тип монтажаПоверхностный монтаж
КорпусD²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Встречается под наим.NGB18N40CLBT4GOS
Аналогичные по характеристикам
ФотоНаименованиеПроизводительТех. параметрыЦены (руб.)Купить
NGB8204NT4ON SemiconductorIGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 18A  ·  Мощность макcимальная: 115W  ·  Тип входа: Logic  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Доп. информация
Искать в поставщиках
NGB8204NT4GON SemiconductorIGBT IGNIT N-CHAN 18A 400V D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 18A  ·  Мощность макcимальная: 115W  ·  Тип входа: Logic  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
от 0,00Доп. информация
Искать в поставщиках
NGB18N40CLBT4ON SemiconductorIGBT N-CHAN 18A 400V ESD D2PAK
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 430V  ·  Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 4.5V, 10A  ·  Ток коллектора (макс): 18A  ·  Мощность макcимальная: 115W  ·  Тип входа: Logic  ·  Тип монтажа: Поверхностный монтаж  ·  Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Доп. информация
Искать в поставщиках

Поискать «NGB18N40CLBT4G» в:  Google   Яндекс   eFind   eInfo Сообщить об ошибке  


© 2006 — 2024 Капитал Плюс
Телефон, e-mail, ICQ для связи
Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов РегистрацияРеклама на сайте