Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

IXBN42N170A — IC TRANS BIPO 1700V SOT-223B

Производитель	IXYS
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Серия	BIMOSFET™
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1700V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	6V @ 15V, 21A
Ток коллектора (макс)	42A
Мощность макcимальная	312W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SOT-227B miniBLOC