Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2V @ 15V, 7A
Ток коллектора (макс)	14A
Мощность макcимальная	60Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	HGT1S7N60C3DS	Fairchild Semiconductor	IGBT UFS N-CH 600V 14A TO-263AB Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 600В · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 7A · Ток коллектора (макс): 14A · Мощность макcимальная: 60Вт · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Поверхностный монтаж · Корпус: D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)		Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов