Дискретные полупроводники  ·  IGBT одиночные

HGT1S20N60A4S9A — IGBT SMPS N-CHAN 600V TO-263AB

Производитель	Fairchild Semiconductor
Вредные вещества	RoHS   Без свинца
Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	600В
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 20A
Ток коллектора (макс)	70A
Мощность макcимальная	290Вт
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Корпус	D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)