Дискретные полупроводники · IGBT одиночные

Производитель	Microsemi-PPG
Вредные вещества	RoHS Без свинца

Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.)	1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.1V @ 15V, 75A
Ток коллектора (макс)	110A
Мощность макcимальная	357W
Тип входа	Стандарт
Тип монтажа	Chassis Mount
Корпус	SP4 Module

Фото	Наименование	Производитель	Тех. параметры	Цены (руб.)	Купить
	APTGT75DA120TG	Microsemi-PPG	IGBT 1200V 110A 357W SP4 Напряжение пробоя коллектора, эмитера (макс.): 1200V · Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A · Ток коллектора (макс): 110A · Мощность макcимальная: 357W · Тип входа: Стандарт · Тип монтажа: Chassis Mount · Корпус: SP4 Module	от 0,00	Доп. информация Искать в поставщиках

Каталог с параметрами на 1.401.534 компонентов